32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 11.8 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000006 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.55 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| M68AF031AM70N6 | M68AF031AM70NS6 | M68AF031AM55N6 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 | 32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-28 | 32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP | TSOP | TSOP |
| 包装说明 | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-28 | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 11.8 mm | 11.8 mm | 11.8 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | TSOP1-R | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP28,.53,22 | TSSOP28,.53,22 | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000006 A | 0.000006 A | 0.000006 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.55 mm | 0.55 mm | 0.55 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
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