Power Bipolar Transistor,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SPC Multicomp |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| 最大降落时间(tf) | 500 ns |
| JEDEC-95代码 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 175 W |
| 最大上升时间(tr) | 600 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 2000 ns |
| 最大开启时间(吨) | 800 ns |
| VCEsat-Max | 3 V |
| MJ10005 | MJ10004 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, | Power Bipolar Transistor, |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 350 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 |
| 最大降落时间(tf) | 500 ns | 500 ns |
| JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 175 W | 175 W |
| 最大上升时间(tr) | 600 ns | 600 ns |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 2000 ns | 2000 ns |
| 最大开启时间(吨) | 800 ns | 800 ns |
| VCEsat-Max | 3 V | 3 V |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved