电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJ10005

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小338KB,共4页
制造商SPC Multicomp
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJ10005概述

Power Bipolar Transistor,

MJ10005规格参数

参数名称属性值
厂商名称SPC Multicomp
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)40
最大降落时间(tf)500 ns
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
最大上升时间(tr)600 ns
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2000 ns
最大开启时间(吨)800 ns
VCEsat-Max3 V

MJ10005相似产品对比

MJ10005 MJ10004
描述 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor,
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 20 A 20 A
集电极-发射极最大电压 400 V 350 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
最大降落时间(tf) 500 ns 500 ns
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 175 W 175 W
最大上升时间(tr) 600 ns 600 ns
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 2000 ns 2000 ns
最大开启时间(吨) 800 ns 800 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 724  2800  1212  1426  1522  15  57  25  29  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved