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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ1000
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MJ1000

产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB，共1页
制造商General Transistor Corp
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MJ1000概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

MJ1000规格参数

参数名称属性值
厂商名称General Transistor Corp
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)90 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

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DARLINGTON TRANSISTORS
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MJ1000相似产品对比

MJ1000 2N6282 2N6055 MJ3000
描述 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 8 A 20 A 8 A 10 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750 1000
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 90 W 160 W 100 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 4 MHz 4 MHz 1 MHz
Base Number Matches - 1 1 1

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热门器件

  1. 84A1B-C20-J08L
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