Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Diodes |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 15 weeks |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN AND PNP |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
最大关闭时间(toff) | 250 ns |
最大开启时间(吨) | 70 ns |
MMDT3946-7R-F | MMDT3946-7-F | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, | 额定功率:200mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN,PNP |
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