TN0200TS-T1-E3,TN0200TS-T1-E3 pdf中文资料,TN0200TS-T1-E3引脚图,TN0200TS-T1-E3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN0200TS-T1-E3

TN0200TS-T1-E3: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小91KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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TN0200TS-T1-E3概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3

TN0200TS-T1-E3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	1.2 A
最大漏源导通电阻	0.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

TN0200TS-T1-E3相似产品对比

	TN0200TS-T1-E3	TN0200T-T1-E3	TN0200TS-E3	TN0200T-E3
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.73A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.73A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, LEAD FREE PACKAGE-3
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	1.2 A	0.73 A	1.2 A	0.73 A
最大漏源导通电阻	0.5 Ω	0.5 Ω	0.5 Ω	0.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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