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IRHNA93160

产品描述Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IRHNA93160概述

Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN

IRHNA93160规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)38 A
最大漏极电流 (ID)38 A
最大漏源导通电阻0.071 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)152 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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