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IS41LV16256-60T

产品描述EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40,
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文件大小206KB,共20页
制造商Integrated Circuit Solution Inc
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IS41LV16256-60T概述

EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40,

IS41LV16256-60T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Circuit Solution Inc
包装说明TSOP, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP40/44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

 
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