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TM024GAD8-6L

产品描述MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,1MX8,CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC
产品类别存储    存储   
文件大小272KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TM024GAD8-6L概述

MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,1MX8,CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC

TM024GAD8-6L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SIMM, SIM30
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N30
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度8
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度20.4978 mm
最大待机电流0.016 A
最大压摆率0.76 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE

TM024GAD8-6L相似产品对比

TM024GAD8-6L TM024GAD8-80L
描述 MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,1MX8,CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,1MX8,CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 60 ns 80 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N30 R-PSMA-N30
内存密度 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 8 8
端子数量 30 30
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM
封装等效代码 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512
座面最大高度 20.4978 mm 20.4978 mm
最大待机电流 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 0.76 mA 0.6 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE

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