BF660WE6433,BF660WE6433 pdf中文资料,BF660WE6433引脚图,BF660WE6433电路-Datasheet-电子工程世界

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BF660WE6433: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小81KB，共4页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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BF660WE6433概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP

BF660WE6433规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.025 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	700 MHz

BF660WE6433相似产品对比

	BF660WE6433	BF660WE6327
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.025 A	0.025 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	700 MHz	700 MHz

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