Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 50 ns |
| 最大开启时间（吨） | 50 ns |
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