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IRFF331: 产品描述3.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小862KB，共6页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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IRFF331概述

3.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

IRFF331规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	350 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A
最大漏源导通电阻	1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRFF331相似产品对比

	IRFF331	IRFF332
描述	3.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	3A, 400V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	350 V	400 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A	3 A
最大漏源导通电阻	1 Ω	1.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A	12 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

IRFF331

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