AM27LV010B-300/BUA,AM27LV010B-300/BUA pdf中文资料,AM27LV010B-300/BUA引脚图,AM27LV010B-300/BUA电路-Datasheet-电子工程世界

AM27LV010B-300/BUA: 产品描述UVPROM, 128KX8, 300ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小466KB，共20页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM27LV010B-300/BUA概述

UVPROM, 128KX8, 300ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	QFJ
包装说明	WQCCN, LCC32,.45X.55
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	300 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WQCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	3.556 mm
最大待机电流	0.000025 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.43 mm

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