Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BDS18SMD-JQRR4

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BDS18SMD-JQRR4: 产品描述8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, CERAMIC, SMD1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小99KB，共3页; 制造商SEMELAB; 标准

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BDS18SMD-JQRR4概述

8A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

BDS18SMD-JQRR4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMELAB
零件包装代码	TO-276AB
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-276AB
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz

BDS18SMD-JQRR4文档预览

BDS18

BDS19

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

1 0.6

0.8

4.6

BDS18SMD

BDS19SMD

BDS18SMD05

BDS19SMD05

16.5

3.6

Dia.

1 3 .5

1 0 .6

SILICON PNP

EPITAXIAL BASE IN

TO220 METAL AND

SMD CERAMIC SURFACE

MOUNT PACKAGES

FEATURES

• HERMETIC METAL OR CERAMIC

PACKAGES

• HIGH RELIABILITY

• MILITARY AND SPACE OPTIONS

• SCREENING TO CECC LEVELS

• FULLY ISOLATED (METAL VERSION)

1 23

1 3 .7 0

1.0

2 .5 4

BSC

2. 70

BSC

TO220M (TO257AB)

Metal Package - Isolated

Pin 1

– Base

Pin 2

– Collector

Pin 3

– Emitter

0 .8 9

(0 .0 3 5 )

m in .

3 .7 0 (0 .1 4 6 )

3 .4 1 (0 .1 3 4 )

4 .1 4 (0 .1 6 3 )

3 .8 4 (0 .1 5 1 )

APPLICATIONS

• POWER LINEAR AND SWITCHING

APPLICATIONS

• GENERAL PURPOSE POWER

7 .5 4 (0 .2 9 6 )

0 .7 6 (0 .0 3 0 )

3 .6 0 (0 .1 4 2 )

M a x .

0 .7 6

(0 .0 3 0 )

m in .

1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )

1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )

m in .

2 .4 1 (0 .0 9 5 )

0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )

3 .1 7 5 (0 .1 2 5 )

M a x .

1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )

1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )

3 .0 5 (0 .1 2 0 )

0 .7 6

(0 .0 3 0 )

m in .

9 .6

9 .3

1 1 .5

1 1 .2

7 (0

8 (0

.3 8

.3 6

.4 5

.4 4

9 )

6 )

4 )

0 .5 0 (0 .0 2 0 )

0 .2 6 (0 .0 1 0 )

5 .7 2 (.2 2 5 )

1 )

0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )

SMD1 (TO276AB)

Ceramic Surface Mount Package

Pad 1

– Base

Pad 2

– Collector

Pad 3

– Emitter

1 6 P L C S

0 .5 0 (0 .0 2 0 )

7 .2 6 (0 .2 8 6 )

0 .1 2 7 (0 .0 0 5 )

1 0 .1 6 (0 .4 0 0 )

0 .5 0 (0 .0 2 0 )

0 .2 6 (0 .0 1 0 )

SMD05 (TO276AA)

Ceramic Surface Mount Package

Pad 1

– Base

Pad 2

– Collector

Pad 3

– Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

=25°C unless otherwise stated)

CBO

CEO

EBO

, I

tot

stg

Collector - Base voltage (I

= 0)

Collector - Emitter voltage (I

= 0)

Emitter - Base voltage (I

= 0)

Emitter , Collector current

Base current

Total power dissipation at T

case

≤

75°C

Storage Temperature

Junction Temperature

BDS18

–120V

BDS19

–150V

–5V

–8A

–2A

50W

–65 TO 200°C

200°C

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Document Number 3346

Issue 1

BDS18

BDS19

BDS18SMD

BDS19SMD

BDS18SMD05

BDS19SMD05

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Tcase = 25°C unless otherwise stated)

Parameter

CBO

CEO

EBO

CEO(sus)*

CE(sat)*

BE(on)*

FE*

Collector cut-off current

= 0)

Collector cut-off current

= 0)

Emitter cut-off current

= 0)

Collector - Emitter

sustaining voltage (I

= 0)

Collector - Emitter

saturation voltage

Base - Emitter voltage

DC Current gain

Transition frequency

Test Conditions

BDS18

BDS19

BDS18

BDS19

= –5V

BDS18

= –100mA

BDS19

= –0.5A I

= –0.05A

= –4.0A V

= –4A

= –0.5A V

= –2V

= –4A

= –2V

= –120V

= –150V

= –60V

= –75V

Min.

Typ.

Max.

–20

–0.1

–10

Unit

µA

–120

–150

–0.4

–1.5

–1.0

250

150

= –0.5A V

= –4V

F = 20MHz

MHz

*Pulsed : Pulse duration = 300

µs

, duty cycle = 1.5%

SWITCHING CHARACTERISTICS

Parameter

On Time

Storage Time

Fall Time

+ t

)

Test Conditions

= - 2A V

= –80V

= 0.2A

= - 2A V

= –80V

= –I

= 0.2A

Max.

0.5

1.5

0.3

Unit

µs

THERMAL DATA

THj-case

THj-a

Thermal resistance junction - case

Thermal resistance junction - ambient

(TO220 Only)

Max. 2.5°C/W

Max. 62.5°C/W

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