TS3V912ID概述

DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8

TS3V912ID规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.0003 µA
标称共模抑制比	80 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	12000 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	YES
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.7/16 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
标称压摆率	0.4 V/us
最大压摆率	0.8 mA
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	800 kHz
最小电压增益	3000
宽度	3.9 mm

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TS3V912ID相似产品对比

	TS3V912ID	TS3V912AID	TS3V912BID	TS3V912BIN
描述	DUAL OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8	DUAL OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8	DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8	DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	DIP, DIP8,.3
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA	0.0003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.0003 µA	0.0003 µA	0.00015 µA	0.00015 µA
标称共模抑制比	80 dB	80 dB	80 dB	80 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	12000 µV	7000 µV	3000 µV	3000 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
低-偏置	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO
微功率	YES	YES	YES	YES
功能数量	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.7/16 V	2.7/16 V	2.7/16 V	2.7/16 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	5.08 mm
标称压摆率	0.4 V/us	0.4 V/us	0.4 V/us	0.4 V/us
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	800 kHz	800 kHz	800 kHz	800 kHz
最小电压增益	3000	3000	3000	3000
宽度	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm
长度	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	-

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