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K4M563233E-EN750

产品描述Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90
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文件大小142KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4M563233E-EN750概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90

K4M563233E-EN750规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA,
针数90
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度11 mm
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