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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMUT7410LEADFREE
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CMUT7410LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小342KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMUT7410LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3

CMUT7410LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMUT3410 NPN
CMUT7410 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3410, and
CMUT7410, are low VCE(SAT) silicon transistors in
an ULTRAmini™ surface mount package designed for
small signal general purpose amplifier and switching
applications, requiring low collector emitter saturation
voltage.
MARKING CODES: CMUT3410: C43
CMUT7410: C47
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.5
250
-65 to +150
500
PNP
TYP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100µA
6.0
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
25
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
40
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
80
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
190
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
290
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
360
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
125
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT3410)
6.0
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT7410)
MAX
100
100
30
50
95
205
320
400
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
75
10
15
MHz
pF
pF
10
R2 (1-August 2011)

CMUT7410LEADFREE相似产品对比

CMUT7410LEADFREE CMUT7410TRLEADFREE CMUT3410LEADFREE CMUT3410BKLEADFREE CMUT3410TRLEADFREE CMUT7410BKLEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMINI-3 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 SINGLE Single SINGLE Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP NPN NPN NPN PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
最大功率耗散 (Abs) - 0.25 W - 0.25 W 0.25 W 0.25 W

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