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CMUT5551BK

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小342KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMUT5551BK概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3

CMUT5551BK规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

CMUT5551BK文档预览

CMUT5551
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 55C
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
180
160
6.0
600
250
-65 to +150
500
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
hfe
NF
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V,
VCB=10V,
IC=10mA, f=100MHz
IE=0, f=1.0MHz
80
80
30
100
50
180
160
6.0
MAX
50
50
UNITS
nA
μA
V
V
V
0.15
0.20
1.00
1.00
250
300
6.0
200
8.0
V
V
V
V
MHz
pF
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=200μA, RS=10Ω,
f=10Hz to 15.7kHz
dB
R1 (9-February 2010)
CMUT5551
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
SOT-523 CASE - MECHANICAL OUTLINE
(Bottom View)
LEAD CODE:
1) Base
2) Emitter
3) Collector
MARKING CODE: 55C
R1 (9-February 2010)
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CMUT5551BK相似产品对比

CMUT5551BK CMUT5551BKLEADFREE CMUT5551TRLEADFREE CMUT5551LEADFREE CMUT5551TR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3 Transistor Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 , , SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
配置 SINGLE Single Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 80 80 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
针数 3 - - 3 3
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 160 V - - 160 V 160 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 - - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 - - e3 e0
元件数量 1 - - 1 1
端子数量 3 - - 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W 0.25 W - 0.25 W
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
端子面层 TIN LEAD - - Matte Tin (Sn) TIN LEAD
端子形式 FLAT - - FLAT FLAT
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER - - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 -
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