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KM44C4004ASLJ-6

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
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文件大小311KB,共8页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44C4004ASLJ-6概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24

KM44C4004ASLJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/28,.44
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

 
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