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KM44V16104CK-5M

产品描述EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小862KB,共21页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44V16104CK-5M概述

EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32

KM44V16104CK-5M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间50 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
端子数量32
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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