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KM23C4200A-15

产品描述MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
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文件大小96KB,共4页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM23C4200A-15概述

MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40

KM23C4200A-15规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP40,.6
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
备用内存宽度16
JESD-30 代码R-PDIP-T40
JESD-609代码e0
长度52.43 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

KM23C4200A-15相似产品对比

KM23C4200A-15 KM23C4200A-12 KM23C4200A-20
描述 MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6 DIP, DIP40,.6
针数 40 40 40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 120 ns 200 ns
备用内存宽度 16 16 16
JESD-30 代码 R-PDIP-T40 R-PDIP-T40 R-PDIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 52.43 mm 52.43 mm 52.43 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 40 40 40
字数 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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