MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP40,.6 |
针数 | 40 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
备用内存宽度 | 16 |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 52.43 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | MASK ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 40 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP40,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
KM23C4200A-15 | KM23C4200A-12 | KM23C4200A-20 | |
---|---|---|---|
描述 | MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 | MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 | MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 |
针数 | 40 | 40 | 40 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns | 120 ns | 200 ns |
备用内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 | R-PDIP-T40 | R-PDIP-T40 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 52.43 mm | 52.43 mm | 52.43 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | MASK ROM | MASK ROM | MASK ROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 40 | 40 | 40 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved