M374S0823ETS-C75,M374S0823ETS-C75 pdf中文资料,M374S0823ETS-C75引脚图,M374S0823ETS-C75电路-Datasheet-电子工程世界

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M374S0823ETS-C75: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小167KB，共11页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M374S0823ETS-C75概述

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

M374S0823ETS-C75规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.009 A
最大压摆率	1.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

M374S0823ETS-C75相似产品对比

	M374S0823ETS-C75	M374S0823ETS-C1L	M374S0823ETS-C1H	M374S0823ETS-C7A
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	6 ns	6 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	100 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72
湿度敏感等级	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX72	8MX72	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.009 A	0.009 A	0.009 A	0.009 A
最大压摆率	1.215 mA	1.125 mA	1.125 mA	1.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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