UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | e2v technologies |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| AT27C512R-20LM/883 | AT27C512R-15KM/883 | AT27C512R-12DM/883 | AT27C512R-20KM/883 | AT27C512R-90KM/883 | AT27C512R-12KM/883 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 | UVPROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CQCC32 | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28 | UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 | UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CQCC32 | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CQCC32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 200 ns | 150 ns | 120 ns | 200 ns | 90 ns | 120 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 | R-XQCC-J32 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-J32 | R-XQCC-J32 | R-XQCC-J32 |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 28 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | QCCJ | DIP | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LDCC32,.5X.6 | DIP28,.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD | QUAD | QUAD |
| 厂商名称 | e2v technologies | e2v technologies | - | - | e2v technologies | e2v technologies |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
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