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RURD660S

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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RURD660S在线购买

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RURD660S概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon

RURD660S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE
应用ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散50 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流100 µA
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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S E M I C O N D U C T O R
RURD640, RURD650, RURD660,
RURD640S, RURD650S, RURD660S
6A, 400V - 600V Ultrafast Diodes
Package
JEDEC STYLE TO-251
ANODE
CATHODE
April 1995
Features
• Ultrafast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .<55ns
• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+175
o
C
• Reverse Voltage Up To . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .600V
• Avalanche Energy Rated
• Planar Construction
Applications
• Switching Power Supplies
• Power Switching Circuits
• General Purpose
JEDEC STYLE TO-252
CATHODE
(FLANGE)
Description
RURD640, RURD650, RURD660, RURD640S, RURD650S and
RURD660S (TA49038) are ultrafast diodes with soft recovery char-
acteristics (t
RR
< 55ns). They have low forward voltage drop and are
silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction.
These devices are intended for use as freewheeling/clamping
diodes and rectifiers in a variety of switching power supplies and
other power switching applications. Their low stored charge and
ultrafast soft recovery minimize ringing and electrical noise in
many power switching circuits reducing power loss in the switching
transistors.
PACKAGING AVAILABILITY
PART NUMBER
RURD640
RURD650
RURD660
RURD640S
RURD650S
RURD660S
PACKAGE
TO-251
TO-251
TO-251
TO-252
TO-252
TO-252
BRAND
RUR640
RUR650
RUR660
RUR640
RUR650
RUR660
CATHODE
CATHODE
(FLANGE)
ANODE
Symbol
K
A
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to obtain
the TO-252 variant in the tape and reel, i.e., RURD640S9A.
Absolute Maximum Ratings
T
C
= +25
o
C, Unless Otherwise Specified
RURD640
RURD640S
400
400
400
6
12
60
50
10
-65 to +175
RURD650
RURD650S
500
500
500
6
12
60
50
10
-65 to +175
RURD660
RURD660S
600
600
600
6
12
60
50
10
-65 to +175
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
mj
o
C
Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
RRM
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
RWM
DC Blocking Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
R
Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . I
F(AV)
(T
C
= +155
o
C)
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
FSM
(Square Wave, 20kHz)
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
FSM
(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11) . . . . . . . . . . E
AVL
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . T
STG
, T
J
Copyright
©
Harris Corporation 1995
5-37
File Number
3750.1

RURD660S相似产品对比

RURD660S RURD650S RURD640S RURD660
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREEWHEELING DIODE FREEWHEELING DIODE FREEWHEELING DIODE FREEWHEELING DIODE
应用 ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 60 A 60 A 60 A 60 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 6 A 6 A 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
最大功率耗散 50 W 50 W 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 500 V 400 V 600 V
最大反向电流 100 µA 100 µA 100 µA 100 µA
最大反向恢复时间 0.06 µs 0.06 µs 0.06 µs 0.06 µs
表面贴装 YES YES YES NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
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