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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RS1007
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RS1007

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 1000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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RS1007概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 1000V V(RRM), Silicon

RS1007规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明R-PSFM-W4
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-W4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置SINGLE

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21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
RS1001
THRU
RS1007
10 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
RS-6
A
D
Features
•
•
•
•
Low Leakage
Low Forward Voltage
Any Mounting Position
Surge Overload Rating Of 300 Amps
Maximum Ratings
•
•
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
E
Microsemi
Part Number
RS1001
RS1002
RS1003
RS1004
RS1005
RS1006
RS1007
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
B
C
-
AC
+
G
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
I
F(AV)
I
FSM
10.0A
300A
T
A
= 50°C
8.3ms, half sine
F
H
J
K
L
V
F
1.0V
I
FM
= 5.0A;
T
A
= 25°C*
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
---
.15∅ x
---
---
1.00
---
---
---
---
MM
MIN
---
---
---
3.8∅ x
---
---
25.40
---
---
---
---
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
10µA
T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
1 mA
T
A
= 125°C
Voltage
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
MAX
.925
.763
.680
.23L
.300
.157
---
.050
.280
.075
.200
MAX
23.50
19.40
17.20
5.57L
7.50
4.00
---
1.30
7.00
1.90
5.10
NOTE
NOM
HOLE
NOM
NOM
TYP
NOM
3PL

RS1007相似产品对比

RS1007 RS1003 RS1002 RS1004 RS1005
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 1000V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 100V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli compli
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 200 V 100 V 400 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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