Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.23 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.23 A |
最大漏源导通电阻 | 3.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 5.9 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.36 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
BSS159H6327 | BSS159H6906 | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.23 A | 0.23 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.23 A | 0.23 A |
最大漏源导通电阻 | 3.5 Ω | 3.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 5.9 pF | 5.9 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.36 W | 0.36 W |
参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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