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SMS130

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小208KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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SMS130概述

Rectifier Diode,

SMS130规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SMS120---SMS1A0
REVERSE VOLTAGE: 20 ---
100
V
CURRENT:
1.0
A
SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIERS
Plastic package has Underwriters Laborator
111
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Metal silicon junction, majority carrier conduction
DO - 213AB
SOLDERABLE ENDS
D2=D1
0
0.20
D1
2.6± 0.15
High surge capability
High current capability,low forward voltage drop
Low power loss,high effciency
For use in low voltage high frequency inverters,free
111
wheeling and polarity protection applications
Guardring for overvoltage protection
o
High temperature soldering guaranteed:250 C/10
1
11
seconds at terminals
D2
0.5± 0.1
4.9± 0.2
0.5± 0.1
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-213AB,molded plastic over
1111passivated
chip
Terminals:Solder Plated, solderable per MIL-STD-750,
1111Method
2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Weight:
0.0046 ounces, 0.116 gram
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified
SMS120
SMS130 SMS140
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ord rectified current at
c
T
L
(SEE FIG.1) (NOTE 2)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half-
c
sine-w ave superimposed on rated load(JEDEC
c
Method)
Maximum instantaneous forw ard voltage at
v
1.0A(NOTE.1)
Maximum DC reverse current @T
A
=25
o
C
at rated DC blocking voltage(NOTE1) @T
A
=100 C
Typical thermal resitance (NOTE2)
Operating junction and storagetemperature range
Storage temperature range
NOTE: 1.Pulse test:300μS pulse width,1%duty cy cle
2. P.C.B.mounted with 0.55"X0.55"(14.0X14.0mm
2
)copper pad areas
o
SMS160 SMS190 SMS1A0
UNITS
60
42
60
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RWS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
R
θ
JL
T
STG
T
J
20
14
20
30
21
30
40
28
40
1.0
30
0.5
0.5
0.7
0.79
V
mA
5.0
45
15
K
/W
o
o
-55--- +150
-55--- +150
C
C
www.galaxycn.com
Document Number 0281050
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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描述 Rectifier Diode, Rectifier Diode,
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
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