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PTB20074

产品描述RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共2页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PTB20074概述

RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN

PTB20074规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)1.4 A
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
JESD-609代码e3
端子数量6
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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