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RN2110FV: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小288KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2110FV概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2110FV规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

RN2110FV相似产品对比

	RN2110FV	RN2111FV
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W	0.15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz

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