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RN2110F

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小230KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2110F概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2110F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

RN2110F相似产品对比

RN2110F RN2111F
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz
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