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70V659S10BCG

产品描述CABGA-256, Tray
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文件大小407KB,共25页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70V659S10BCG在线购买

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70V659S10BCG概述

CABGA-256, Tray

70V659S10BCG规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
制造商包装代码BCG256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
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