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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BDY54.MOD
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BDY54.MOD

产品描述12A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB，共3页
制造商SEMELAB
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BDY54.MOD概述

12A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BDY54.MOD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SEMELAB
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz

BDY54.MOD文档预览

SILICON NPN TRANSISTOR
BDY54
•
•
•
•
High Power
Hermetic TO-3 Metal Package
Ideally suited for Switching
and Amplifier Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
Tstg
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Base Current
TC = 25°C
Total Power Dissipation at
Derate Above 25°C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
180V
120V
7V
12A
5A
60W
0.35W/°C
-65 to +200°C
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
R
θJC
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Case
Max.
2.9
Units
°C/W
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
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Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Semelab Limited
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 10309
Issue 1
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com
SILICON NPN TRANSISTOR
BDY54
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
ICEX
IEBO
V(BR)CEO
hFE
(1)
(1)
Parameters
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector – Emitter
Breakdown Voltage
Static Forward-Current
Transfer Ratio
Test Conditions
VCE = 150V
VEB = 7V
IC = 100mA
VCE = 1.5V
IC = 4A
IC = 7A
IC = 4A
IC = 7A
VBE = -1.5V
TC = 150°C
IC = 0
IB = 0
IC = 2A
IB = 0.4A
IB = 1.4A
IB = 0.4A
IB = 1.4A
Min.
Typ
Max.
15
3
Units
mA
120
20
60
1.1
2.2
2
2.5
V
-
V
VCE(sat)
VBE(sat)
(1)
Collector – Emitter
Saturation Voltage
Base – Emitter Saturation
Voltage
(1)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
fT
ton
toff
Transition Frequency
Turn-On Time
Turn-Off Time
VCE = 4V
f = 10MHz
IC = 5A
IC = 5A
IB2 = -1.0A
IC = 0.5A
IB = 1.0A
IB1 = 1.0A
20
0.15
1.2
µs
MHz
Notes
(1) Pulse Width
≤
380us,
δ ≤
2%
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Document Number 10309
Issue 1
Page 2 of 3
SILICON NPN TRANSISTOR
BDY54
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(case)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 (TO-204AA) METAL PACKAGE
Underside View
Pin 1 - Base
Pin 2 - Emitter
Case - Collector
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Issue 1
Page 3 of 3
22.23
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BDY54.MOD相似产品对比

BDY54.MOD BDY54R1 BDY54.MODR1
描述 12A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 12A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN 12A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB
零件包装代码 TO-3 TO-3 TO-3
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A 12 A 12 A
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz 20 MHz
JESD-609代码 - e1 e1
端子面层 - TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER

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