HYI25DC256800CE-6,HYI25DC256800CE-6 pdf中文资料,HYI25DC256800CE-6引脚图,HYI25DC256800CE-6电路-Datasheet-电子工程世界

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HYI25DC256800CE-6: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共29页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYI25DC256800CE-6概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66

HYI25DC256800CE-6规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm

HYI25DC256800CE-6相似产品对比

	HYI25DC256800CE-6	HYI25DC256160CE-6	HYI25DC256800CE-5	HYI25DC256160CE-5
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA	QIMONDA
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	8	16
湿度敏感等级	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66
字数	33554432 words	16777216 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	32000000	16000000	32000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32MX8	16MX16	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大压摆率	0.215 mA	0.215 mA	0.25 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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