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FRM9130H3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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FRM9130H3概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

FRM9130H3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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