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TN2460TT2

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.051A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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TN2460TT2概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.051A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

TN2460TT2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压240 V
最大漏极电流 (ID)0.051 A
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TN2460TT2相似产品对比

TN2460TT2 TN2460L-18
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.051A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 240 V 240 V
最大漏极电流 (ID) 0.051 A 0.075 A
最大漏源导通电阻 60 Ω 60 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 10 pF 10 pF
JEDEC-95代码 TO-236 TO-226AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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