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TRANSISTOR,MOS-BJT POWER MODULE,INDEPENDENT,50V V(BR)CEO,100MA I(C)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
| 元件数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| VCEsat-Max | 0.3 V |
| TPCP8J01(TE85L) | TPCP8J01(TE85L,F) | |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOS-BJT POWER MODULE,INDEPENDENT,50V V(BR)CEO,100MA I(C) | mosfet npn/P-CH 32v PS-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 | 80 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| VCEsat-Max | 0.3 V | 0.3 V |
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