U635H256BDK25G1,U635H256BDK25G1 pdf中文资料,U635H256BDK25G1引脚图,U635H256BDK25G1电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> U635H256BDK25G1

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U635H256BDK25G1: 产品描述32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小203KB，共13页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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U635H256BDK25G1概述

32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

U635H256BDK25G1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3
长度	34.7 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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