Liquid Crystal Driver, 30-Segment, CMOS, CQCC40, CERAMIC, LCC-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCN, DIP40,.6 |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 数据输入模式 | SERIAL |
| 显示模式 | DOT MATRIX |
| 输入特性 | STANDARD |
| 接口集成电路类型 | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DRIVER |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12.3 mm |
| 复用显示功能 | NO |
| 标称负供电电压 | -25 V |
| 底板数 | 1-BP |
| 功能数量 | 1 |
| 区段数 | 30 |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | TOTEM-POLE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5,-25 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.7 mm |
| 最大压摆率 | 0.2 mA |
| 最大供电电压 | 18 V |
| 最小供电电压 | 3 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.016 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12.3 mm |
| 最小 fmax | 1 MHz |
| MIC8010-02AL | MIC8010-01BN | MIC8010-01AL | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Liquid Crystal Driver, 30-Segment, CMOS, CQCC40, CERAMIC, LCC-40 | Liquid Crystal Driver, 30-Segment, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | Liquid Crystal Driver, 30-Segment, CMOS, CQCC40, CERAMIC, LCC-40 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | LCC | DIP | LCC |
| 包装说明 | QCCN, DIP40,.6 | DIP, DIP40,.6 | QCCN, DIP40,.6 |
| 针数 | 40 | 40 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 数据输入模式 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 显示模式 | DOT MATRIX | DOT MATRIX | DOT MATRIX |
| 输入特性 | STANDARD | STANDARD | STANDARD |
| 接口集成电路类型 | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DRIVER | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DRIVER | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DRIVER |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N40 | R-PDIP-T40 | S-CQCC-N40 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 复用显示功能 | NO | NO | NO |
| 标称负供电电压 | -25 V | -25 V | -25 V |
| 底板数 | 1-BP | 1-BP | 1-BP |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 区段数 | 30 | 30 | 30 |
| 端子数量 | 40 | 40 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C |
| 输出特性 | TOTEM-POLE | TOTEM-POLE | TOTEM-POLE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | NOT SPECIFIED | 240 |
| 电源 | 5,-25 V | 5,-25 V | 5,-25 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.7 mm | 4.318 mm | 1.7 mm |
| 最大压摆率 | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
| 最大供电电压 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 最小供电电压 | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.016 mm | 2.54 mm | 1.016 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12.3 mm | 15.24 mm | 12.3 mm |
| 最小 fmax | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
| 长度 | 12.3 mm | - | 12.3 mm |
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