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VMB10-12F

产品描述4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小12KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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VMB10-12F概述

4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

VMB10-12F规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流4.5 A
最大集电极发射极电压18 V
端子数量4
加工封装描述0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态Active
壳体连接EMITTER
结构SINGLE
最小直流放大倍数10
jesd_30_codeO-XRPM-F4
元件数量1
最大工作温度200 Cel
包装材料UNSPECIFIED
包装形状ROUND
包装尺寸POST/STUD MOUNT
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_80 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

VMB10-12F相似产品对比

VMB10-12F ASI10735 ASI10741 HF20-12S MRF1035MB
描述 4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 4.5 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
最大集电极电流 4.5 A 4.5 A 4.5 A 4.5 A 4.5 A
最大集电极发射极电压 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
端子数量 4 4 4 4 4
加工封装描述 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态 Active Active Active Active Active
壳体连接 EMITTER EMITTER EMITTER EMITTER EMITTER
结构 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 10 10 10 10 10
jesd_30_code O-XRPM-F4 O-XRPM-F4 O-XRPM-F4 O-XRPM-F4 O-XRPM-F4
元件数量 1 1 1 1 1
最大工作温度 200 Cel 200 Cel 200 Cel 200 Cel 200 Cel
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
包装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
包装尺寸 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
larity_channel_type NPN NPN NPN NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 80 W 80 W 80 W 80 W 80 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors Other Transistors Other Transistors Other Transistors
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL RADIAL RADIAL RADIAL
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