UPD41257L-15,UPD41257L-15 pdf中文资料,UPD41257L-15引脚图,UPD41257L-15电路-Datasheet-电子工程世界

UPD41257L-15: 产品描述Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18; 产品类别存储存储; 文件大小368KB，共16页; 制造商NEC(日电)

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UPD41257L-15概述

Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18

UPD41257L-15规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	PLASTIC, LCC-18
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	150 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PQCC-J18
长度	12.5 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	7.4 mm

UPD41257L-15相似产品对比

	UPD41257L-15	UPD41257L-20	UPD41257L-12	UPD41257C-15
描述	Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18	Nibble Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18	Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18	Nibble Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
包装说明	PLASTIC, LCC-18	PLASTIC, LCC-18	PLASTIC, LCC-18	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE
最长访问时间	150 ns	200 ns	120 ns	150 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PQCC-J18	R-PQCC-J18	R-PQCC-J18	R-PDIP-T16
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	16
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256
座面最大高度	3.7 mm	3.7 mm	3.7 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
宽度	7.4 mm	7.4 mm	7.4 mm	7.62 mm
长度	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	-

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