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JAN2N1716S

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小628KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N1716S概述

Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,

JAN2N1716S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid2078540552
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.75 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/263A
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)16 MHz
偶院的机械电子论坛,望大家支持下~~~
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