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MGFC36V6472A-51

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGFC36V6472A-51概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

MGFC36V6472A-51规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.75 A
最大漏极电流 (ID)3.75 A
FET 技术JUNCTION
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最小功率增益 (Gp)8 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGFC36V6472A-51相似产品对比

MGFC36V6472A-51 MGFC36V6472A-01
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.75 A 3.75 A
最大漏极电流 (ID) 3.75 A 3.75 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION
最高频带 C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 25 W 25 W
最小功率增益 (Gp) 8 dB 8 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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