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SMBJ11C-M3/5B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMBJ11C-M3/5B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SMBJ11C-M3/5B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-J2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压14.9 V
最小击穿电压12.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-J2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压11 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式J BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMBJ5.0A thru SMBJ188CA
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated chip junction
• Available in uni-directional and bi-directional
• 600 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs
waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 %
• Excellent clamping capability
DO-214AA (SMB J-Bend)
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
WM
P
PPM
I
FSM
(uni-directional only)
T
J
max.
5.0 V to 188 V
600 W
100 A
150 °C
MECHANICAL DATA
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, and telecommunication.
Case:
DO-214AA (SMBJ)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS compliant, and
commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
per
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS
For bi-directional use C or CA suffix (e.g. SMBJ10CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
Polarity:
For uni-directional types the band denotes
cathode end, no marking on bi-directional types
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (fig. 1)
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2
A
(2)
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM (1)(2)
I
PPM (1)
I
FSM (2)
T
J
, T
STG
VALUE
600
See next table
100
- 55 to + 150
UNIT
W
A
A
°C
Revision: 20-Dec-11
Document Number: 89284
1
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