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NEZ1414-8E

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小141KB,共4页
制造商NEC(日电)
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NEZ1414-8E概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

NEZ1414-8E规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)4 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带KU BAND
JESD-30 代码R-XDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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