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NE081091

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共3页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE081091概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NE081091规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
基于收集器的最大容量20 pF
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

NE081091相似产品对比

NE081091 NE081090 NE080191
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 20 pF 20 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 18 V 18 V 18 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 35 W 35 W 8.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 California Eastern Labs California Eastern Labs -
Base Number Matches - 1 1
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