230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-237AA |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.25 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.26 A |
| 最大漏源导通电阻 | 7.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-237AA |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| VN2222LM | VN2222LL | VN2222 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | THROUGH-孔 |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | 开关 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | 硅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 零件包装代码 | TO-237AA | TO-92 | - |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | - |
| 针数 | 3 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.25 A | 0.099 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.26 A | 0.23 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 7.5 Ω | 7.5 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF | 5 pF | - |
| JEDEC-95代码 | TO-237AA | TO-92 | - |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | O-PBCY-W3 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | - |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 0.4 W | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
RF/无线
嵌入式系统
NXP MCU
stm32/stm8
嵌入式系统
DSP 与 ARM 处理器
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