ST333C08CEM2PBF,ST333C08CEM2PBF pdf中文资料,ST333C08CEM2PBF引脚图,ST333C08CEM2PBF电路-Datasheet-电子工程世界

ST333C08CEM2PBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1435A I(T)RMS, 720000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小172KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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ST333C08CEM2PBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 1435A I(T)RMS, 720000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	12 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
最大漏电流	50 mA
通态非重复峰值电流	11500 A
元件数量	1
端子数量	2
最大通态电流	720000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	1435 A
重复峰值关态漏电流最大值	50000 µA
断态重复峰值电压	800 V
重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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