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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK2719(Q)

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2SK2719(Q): 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,3A I(D),TO-247VAR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小181KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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2SK2719(Q)概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,3A I(D),TO-247VAR

2SK2719(Q)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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