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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK2598(TO-220SM)

2SK2598(TO-220SM): 产品描述TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小433KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SK2598(TO-220SM)概述

TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power

2SK2598(TO-220SM)规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-220SM
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	148 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	13 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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描述	TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, 3 PIN, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, 3 PIN, FET General Purpose Power	MOSFET N-CH 250V 13A TO-220FL	TRANSISTOR 13 A, 250 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, FET General Purpose Power
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
Base Number Matches	1	1	1	1	1
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	-	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3	-	3
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	148 mJ	148 mJ	148 mJ	-	148 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	-	250 V
最大漏极电流 (ID)	13 A	13 A	13 A	-	13 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω	-	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G3	-	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	-	1
端子数量	2	3	3	-	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	52 A	52 A	52 A	-	52 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES	-	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON

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