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2SA1204YTE12R: 产品描述TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小133KB，共4页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SA1204YTE12R概述

TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1204YTE12R规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.8 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	35
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz
VCEsat-Max	0.7 V
Base Number Matches	1

2SA1204YTE12R相似产品对比

	2SA1204YTE12R	2SA1204-Y(TE12L,C)	2SA1204YTE12L	2SA1204TE12R	2SA1204OTE12L	2SA1204OTE12R	2SA1204TE12L	2SA1204-O
描述	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	X35 POWER TRANSISTOR; PW-MINI	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	-	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.8 A	-	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A
集电极-发射极最大电压	30 V	-	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	35	-	35	35	35	35	35	100
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	-	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP	-	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	-	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz	-	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz
VCEsat-Max	0.7 V	-	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V

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