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IXGH32N60BU1S

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247SMD, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小412KB,共6页
制造商IXYS
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IXGH32N60BU1S概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247SMD, 2 PIN

IXGH32N60BU1S规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-247SMD
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)60 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)150 ns
门极发射器阈值电压最大值5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值200 W
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.5 V
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